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IXFB50N80Q2
100
Fig. 7. Input Admittance
100
Fig. 8. Transconductance
90
80
70
90
80
70
T J = - 40oC
60
50
T J = 125oC
25oC
- 40oC
60
50
25oC
125oC
40
30
20
10
0
40
30
20
10
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
160
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
140
9
V DS = 400V
120
8
7
I D = 25A
I G = 10mA
100
80
60
6
5
4
40
T J = 125oC
3
20
T J = 25oC
2
1
Fig. 40 80 120 160 200 240
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
12. Maximum Transient Thermal Impedance
V SD - Volts
1.000
Q G - NanoCoulombs
100,000
Fig. 11. Capacitance
0.200
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
f = 1 MHz
0.100
Ciss
10,000
1,000
100
Coss
Crss
0.010
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF:F_50N80Q2(95)1-18-10-C
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